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富士通鐵電FRAM 4M Bit MB85R4002A

2021-04-01 09:30:05

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數據保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
 
MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數據,而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的存儲單元可用于1010個讀/寫操作,與Flash存儲器和E2PROM支持的讀和寫操作數量相比,有了顯著改進。MB85R4002A使用與常規異步SRAM兼容的偽SRAM接口。
 
引腳封裝
 
 
 
特點
•位配置:262,144字×16位
•LB和UB數據字節控制
•讀寫續航力:1010次/字節
•數據保留:10年(+ 55°C),55年(+ 35°C)
•工作電源電壓:3.0 V至3.6 V
•低功耗運行:工作電源電流15 mA(典型值),待機電流50μA(典型值)
•工作環境溫度范圍:−40°C至+ 85°C
•封裝:48引腳塑料TSOP(FPT-48P-M48)
符合RoHS
 
非易失性存儲器FRAM,無需保持數據的電池,所以保持數據時不產生能耗。而且,寫入時間較通用EEPROM及閃存要短,具有寫入能耗低的優點。富士通FRAM代理英尚微電子為用戶提供應用解決方案等產品服務。


本文關鍵詞: FRAM

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