MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案，因?yàn)樗許RAM的速度寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)在發(fā)生總功耗之前保留數(shù)據(jù)。Everspin串行mram是必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想存儲(chǔ)器。
 
Everspin型號(hào)MR25H256CDF是一種串行MRAM，其存儲(chǔ)器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口(SPI)總線。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機(jī)和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
MR25H256CDF特征
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速、簡單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40兆赫茲
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)和汽車1級(jí)和3級(jí)溫度
•提供8-DFN Small Flag RoHS兼容封裝。
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•工業(yè)級(jí)和AEC-Q1001級(jí)和3級(jí)選項(xiàng)
•濕度敏感度MSL-3
 
Everspin是專業(yè)設(shè)計(jì)和制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為MRAM用戶奠定了強(qiáng)大的基礎(chǔ)。Everspin一級(jí)代理英尚微電子可為用戶提供驅(qū)動(dòng)和例程等技術(shù)方面支持。


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本文關(guān)鍵詞： 串口mram   

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