在MRAM這類內存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數據的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權衡。這意味著即使STT MRAM技術已經接近成熟，其受到的限制仍讓它無法滿足高速RAM應用必須兼具高速寫入、無限耐久性，以及可接受的數據保存能力之需求。
 
STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級類型的MRAM設備。與常規設備相比，STT-MRAM可實現更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相對于ToggleMRAM的主要優勢是能夠擴展STT-MRAM芯片以更低的成本實現更高的密度。
 
STT-MRAM具有成為領先存儲技術的潛力，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰DRAM和SRAM），可以遠低于10nm并挑戰閃存的低成本。
 
STT代表自旋轉移扭矩。在STT-MRAM設備中，使用自旋極化電流翻轉電子的自旋。這種效果是在磁性隧道結(MTJ)或自旋閥中實現的，STT-MRAM器件使用STT隧道結(STT-MTJ)。通過使電流通過薄磁性層來產生自旋極化電流。該電流然后被引導到更薄的磁性層，該磁性層將角動量轉移到改變其自旋的薄層。
 
Everspin的MRAM技術使用自旋扭矩轉移特性，即通過極化電流操縱電子的自旋，以建立所需的自由層磁狀態，以對存儲陣列中的位進行編程或寫入。與Toggle MRAM相比，自旋轉移扭矩MRAM或STT-MRAM顯著降低了開關能量，并且具有高度可擴展性，可實現更高密度的存儲器產品。第三代MRAM技術使用垂直MTJ。開發了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆棧設計，可提供長數據保留、小單元尺寸、更大密度、高耐久性和低功率。代理商英尚微電子支持提供產品應用方案及技術支持。


更多詳情點擊該鏈接：http://m.bjbbxh.com/list-180-1.html


本文關鍵詞： STT-MRAM,MRAM,Everspin

相關文章：Everspin并行接口4Mb MRAM是汽車應用的理想選擇

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。