作為先進半導體解決方案的領先供應商的瑞薩電子，宣布推出兩款低功耗SRAM（高級LP SRAM），主要是用于提供增強的可靠性和更長的備份電池壽命的應用，如工廠自動化（FA），工業設備，以及智能電網。采用110納米（nm）工藝制造，新RMLV1616A系列16兆位（MB）的設備和RMWV3216A系列32 MB裝置采用創新的存儲單元技術，大幅提高了可靠性，并有助于延長電池的運行。
 
目前隨著需求高安全性跟高可靠性的要求，瑞薩順勢而出的高度可靠的SRAM，可以用來存儲重要的信息，比如系統程序及金融交易數據的需求，軟錯誤所引起的α射線和宇宙中子射線的預防是一個顯著的問題。典型的措施來解決這個問題包括嵌入糾錯碼（ECC）電路中的SRAM或用戶的系統糾正可能發生的任何軟錯誤。然而有限制，對ECC電路的錯誤糾正能力。例如，一些不能糾正影響多個位同時出錯。
 
 
瑞薩的高級LP SRAM器件具有在他們的記憶細胞獨家技術，可實現軟錯誤性（注2）超過500倍，傳統的全CMOS存儲單元（注3）。這使得希望用于要求高可靠性，包括FA，測量設備，智能電網相關設備和工業設備，除了許多其他領域，如消費設備，辦公設備，和通信設備領域使用。
 
市場上最大容量64Mb低功耗SRAM產品R1WV6416R系列以及32Mb尺寸更小的SRAM產品由瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出，  
 
目前瑞薩這兩款新系列采用了專有的存儲單元技術實現實現更小芯片尺寸和無軟錯誤的先進LPSRAM產品的陣容。可以滿足消費類產品：電子詞典；工業設備：自動販賣機、POS終端、自動檢票門；辦公設備：多功能復印機；汽車系統：汽車導航系統；通信系統：電話交換機、路由器等等。
 
這兩款產品主要是在一個封裝中集成了兩個小型32 Mb先進LPSRAM芯片的堆棧，實現了業界最高的容量，可以滿足需要提高性能系統的大容量SRAM同時也滿足低功耗的需求，由于芯片的體積進一步更小，有利于對減少PCB板空間的設計。瑞薩為了滿足不同的封裝需求，采用了幾種不同的封裝：TSOP I（48引腳）、μTSOP（52引腳），FBGA（48焊球）封裝。TSOP I和μTSOP封裝等，有利于客戶在使用原先的布局設計時增加存儲容量。再者采用一種堆疊電容器*2 存儲單元結構，這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯誤，這可能是超精細SRAM存在的一個問題。此外，這種存儲單元結構還可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的問題，它可能產生寄生電流流動并導致鎖定。消除軟錯誤和鎖定可以實現卓越的可靠性。