三星計劃在今年提升64層3D NAND產品的比重，并計劃在年內在華城、平澤的工廠搶先量產96層3D NAND產品，甚至還計劃搶先競爭對手，開始投入128層3D NAND的研發(fā)量產工作。

 

三星的這一系列舉動也許將徹底使NAND Flash高層堆疊市場戰(zhàn)爭爆發(fā)，美、日、韓等多國的內存大廠都將參戰(zhàn)，市場競爭的激烈程度簡直無法想象。

 

美光推進64層3D NAND進程非常順利，東芝、西部數(shù)據也從2017下半年開始量產64層3D NAND。與此同時，為了降低NAND Flash生產成本，提升產品的競爭力，美、日、韓等多國的內存大廠近期都在加速更高層堆疊以及QLC四比特單元存儲產品的開發(fā)。

 

全球NAND Flash第二大廠東芝已于2017年6月與西數(shù)同時宣布，采用BiCS4技術的96層3D NAND已完成研發(fā)。現(xiàn)在，隨著東芝半導體事業(yè)出售案落下實錘，業(yè)內普遍認為，未來東芝將會在NAND Flash突飛猛進。

 

而美光與英特爾合作開發(fā)的NAND Flash產品，也在最近傳出了96層3D NAND研發(fā)順利的消息。

 

至于SK海力士，2017年7月，就已經開始大規(guī)模生產72層（第四代）3D NAND閃存芯片。雖然目前SK海力士在NAND Flash領域排名落后，但是SK海力士也決定在2018年完成96層3D NAND產品研發(fā)。


本文關鍵詞：3D NAND閃存

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