Everspin在2006年從飛思卡爾半導體公司獨立分離出來，成立后一直致力于研發(fā)MRAM芯片的產品，也是全球第一家生產商業(yè)化MRAM芯片，是世界領先的分立和嵌入式MRAM開發(fā)商和制造商，產品廣泛用在數據存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
Everspin MR256D08BMA45并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性。Everspin MR256D08BMA45為32字 x8位的256Kbit磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。
這款并行MRAM屬于非易失性存儲芯片，數據保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。并行MRAM是大多數手機 、 移動設備、膝上機、PC等數字產品的存儲器的潛在替代產品。
EVERSPN并口mram型號如下：
|
Density
|
Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256D08BMA45 | 48-BGA | 3.3VDD, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256DL08BMA45 | 48-BGA | 2.7VDD min, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
本文關鍵詞：Everspin
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