2018年8月6日,在圣克拉拉舉行的半導體存儲行業活動中的技術，CA，MRAM開發者日和閃存峰會。

離散和嵌入式MRAM全球領先的開發商和制造商Everspin在這些活動中展示最新產品STT-MRAM,

會議中心主席兼首席執行官Kevin Conley發表主題演講

作為MRAM的領導者Everspin以題為“MRAM革命”作為展示主題，在MRAM技術方面，Everspin也在整個展覽中占據突出地位，

Everspin的展臺采用Everspin最新的旋轉傳輸扭矩MRAM（STT-MRAM）產品和技術，包括：

•與頂級企業存儲供應商的第一次重大設計勝利
由Everspin 40nm 256Mb STT-MRAM內存供電。這個設計將低延遲數據持久性的功能帶到了公司的NVMe解決方案。通過本機使得數據持久化，
MRAM幫助該供應商實現了新的性能和存儲水平容量和可靠性。

•NVMe over Fabric（NVMeoF）現場演示。這個演示具有通過高速以太網結構連接的兩臺服務器
一個nvNITRO™加速器，可以實現NVMe通信遠程持久性內存位置，繞過系統CPU，效率更高。

•作為Xilinx聯盟計劃的一部分，Everspin將以此為特色，Xilinx FPGA支持MRAM產品解決方案。
•SMART Modular Technologies將與Everspin合作，使用256Mb展示他們的nvNITRO NVMe存儲加速器，STT-MRAM實現了無與倫比的低延遲記錄。

本文關鍵詞：Everspin

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