要保證正確地讀/寫，必須注意CPU時(shí)序與存儲(chǔ)器讀/寫周期的配合。一般SRAM存儲(chǔ)器芯片手冊都會(huì)給出芯片讀/寫周期的時(shí)序圖。

 

Intel 2114芯片的讀、寫周期時(shí)序如圖所示。

 

二、 讀周期

 

 

 

讀操作時(shí)，必須保證片選信號為低電平，讀寫信號為高電平。

tRC （讀周期時(shí)間）：指對芯片連續(xù)兩次讀操作之間的最小間隔時(shí)間。

tA (讀出時(shí)間)：從給出有效地址后，經(jīng)過譯碼電路、驅(qū)動(dòng)電路的延遲，到讀出所選單元內(nèi)容，并經(jīng)I/O電路延遲，直到數(shù)據(jù)在外部數(shù)據(jù)總線上穩(wěn)定出現(xiàn)所需的時(shí)間。顯然，讀出時(shí)間小于讀周期時(shí)間。

tCO (片選到數(shù)據(jù)輸出穩(wěn)定的時(shí)間)：數(shù)據(jù)能否送到外部數(shù)據(jù)總線上，不僅取決于地址，還取決于片選信號。因此，tCO是從有效到數(shù)據(jù)穩(wěn)定出現(xiàn)在外部數(shù)據(jù)總線上的時(shí)間。

tCX（片選到數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間）：從片選有效到數(shù)據(jù)開始出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上的間隔時(shí)間。

tOTD：片選無效后數(shù)據(jù)還需在數(shù)據(jù)總線上保持的時(shí)間。

tOHA：地址失效后，數(shù)據(jù)線上的有效數(shù)據(jù)維持時(shí)間，以保證所讀數(shù)據(jù)可靠。

 

三、寫周期

執(zhí)行寫操作時(shí)，為低電平，讀寫信號為低電平。

tW（寫入時(shí)間）：為保證數(shù)據(jù)可靠地寫入，與同時(shí)有效的時(shí)間必須大于或等于tW。

tAW（滯后時(shí)間）：地址有效后，必須經(jīng)過tAW時(shí)間，WE/信號才能有效（低），否則可能產(chǎn)生寫出錯(cuò)。

tWR（寫恢復(fù)時(shí)間）：WE/無效后，經(jīng)tWR時(shí)間后地址才能改變，否則也可能錯(cuò)誤地寫入。

tDW：寫入數(shù)據(jù)必須在寫無效之前tDW時(shí)間就送到數(shù)據(jù)總線上。

tDH：WE/無效后，數(shù)據(jù)還要保持的時(shí)間。此刻地址線仍有效，tWR>tDH，以保證數(shù)據(jù)可靠寫入。

tWC（寫周期時(shí)間）：表示連續(xù)兩次寫操作之間的最小時(shí)間間隔。tWC = tAW + tW + tWR。

本文關(guān)鍵詞： SRAM

相關(guān)文章：三星正在改善1Gb MRAM壽命問題

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。