當(dāng)前有兩個(gè)不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通過采用特殊柵誘導(dǎo)漏極泄漏(GIDL)控制技術(shù)控制待機(jī)電流來控制待機(jī)功耗。這些技術(shù)需要在上拉或下拉路徑中添加額外的晶體管，因此會(huì)加劇存取延遲，而且在此過程中會(huì)延長(zhǎng)存取時(shí)間。在快速SRAM中，存取時(shí)間占首要地位，因此不能使用這些技術(shù)。此外要減少傳播延遲，需要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大會(huì)增大漏電流，從而增加整體待機(jī)功耗。
 
微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。這種工作模式有助于為大部分時(shí)間都處于待機(jī)狀態(tài)下的應(yīng)用省電。該控制器可在正常工作中全速運(yùn)行，但事后則進(jìn)入低功耗模式，以便節(jié)省電源。使所連接的SRAM也具有類似的工作模式很重要。具有深度睡眠工作模式[5]的異步快速SRAM是這類應(yīng)用的理想選擇。這種SRAM芯片有一個(gè)附加輸入引腳，有助于用戶在不同的工作模式(正常、待機(jī)和深度睡眠)間切換。因此可在不影響性能的情況下管理低功耗。
 
到目前位置的典型SRAM應(yīng)用接受這種權(quán)衡：電池供電應(yīng)用使用低功耗SRAM(降低性能)，有線工業(yè)高性能應(yīng)用則使用快速SRAM。不過對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)及其它眾多高級(jí)應(yīng)用來說，這種權(quán)衡不再適用。主要原因是對(duì)于大部分這些應(yīng)用而言，不僅高性能很重要，同時(shí)還必須限制待機(jī)功耗，因?yàn)檫@些應(yīng)用大多采用電池供電工作。非常幸運(yùn)的是，SRAM正在縮小這兩個(gè)系列之間的性能差距，正逐漸發(fā)展成具有這兩種優(yōu)勢(shì)的單芯片產(chǎn)品。我司英尚微VTI代理商,提供VTI SRAM芯片.

VTI快速異步SRAM部分型號(hào)

Density	Org.	Part Name	Temp.	Vcc(V)	Speed	Package	Packing
32Mbit	4M x 8	VTI532LF08TM	Industrial	1.8	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532LF08LM	Industrial	1.8	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532NF08TM	Industrial	3.3	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532NF08LM	Industrial	3.3	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532LF16TM	Industrial	1.8	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532LF16LM	Industrial	1.8	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532NF16TM	Industrial	3.3	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532NF16LM	Industrial	3.3	8/10	48BGA	Tray

 
本文關(guān)鍵詞： 異步SRAM

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