SRAM：

     SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，就要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM的性能較高。但是SRAM也有缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以SRAM在主板上存儲器需要占用一部分面積。
    SRAM雖然速度較快，不需要刷新的動作，但是也有缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。現(xiàn)將它的特點歸納如下：
●優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。
●缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統(tǒng)以提高效率。

SDRAM：

    SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為標準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。目前的168線64bit帶寬內(nèi)存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內(nèi)存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間,所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。


 

SRAM與SDRAM的比較：

     SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態(tài)RAM需要設置刷新電路。但動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲器。所以主內(nèi)存通常采用SDRAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用SRAM，在存取速度上，SRAM>SDRAM。另外，內(nèi)存還應用于顯卡、聲卡及CMOS等設備中，用于充當設備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)。

SRAM芯片更多詳情：http://m.bjbbxh.com/list-14-1.html

SDRAM芯片更多詳情：http://m.bjbbxh.com/list-421-1.html