美國ISSI公司總部位于加利福尼亞州米爾皮塔斯，在世界九個地區(qū)設(shè)有全球辦事處。 ISSI公司是為以下主要市場設(shè)計，開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者：汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療。我們的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。該公司還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。我們以具有成本效益的高品質(zhì)半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)高增長市場，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。即使在生產(chǎn)能力緊張的情況下，我們?nèi)匀皇谴鎯ζ鳟a(chǎn)品（包括低密度和小批量產(chǎn)品）的長期承諾供應(yīng)商。
 
我們的外包制造模型基于與亞洲和國內(nèi)主要鑄造廠的聯(lián)合技術(shù)開發(fā)關(guān)系的歷史。我們還將在部分鑄造廠進(jìn)行戰(zhàn)略股權(quán)購買。通過在中國，韓國和臺灣地區(qū)增加設(shè)計團(tuán)隊，我們擴(kuò)大了在重要的亞洲市場的影響力，目前我們在這些地區(qū)雇用了80多名設(shè)計，產(chǎn)品和測試工程師。這些設(shè)計團(tuán)隊是對位于加利福尼亞州圣何塞總部的核心工程和產(chǎn)品管理團(tuán)隊的補(bǔ)充。
 
近年來對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機(jī)市場擴(kuò)展到了汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。

   
跨各種終端市場對高性能存儲設(shè)備的需求不斷增長，這為高性能存儲集成電路（如ISSI公司）的集中供應(yīng)商提供了巨大的機(jī)會。我們利用這一機(jī)會的戰(zhàn)略的關(guān)鍵要素是：
 
與領(lǐng)先的鑄造廠建立協(xié)作關(guān)系。我們與主要晶圓代工廠以高度協(xié)作的方式合作，以開發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)，并在行業(yè)升級周期中更安全地獲取晶圓產(chǎn)能。
 
致力于成為我們產(chǎn)品的長期供應(yīng)商。我們的無晶圓廠采購模式使我們能夠適應(yīng)小批量產(chǎn)品運(yùn)行，并為滿足客戶需求提供長期供應(yīng)。繼續(xù)開發(fā)和提供高性能產(chǎn)品。我們與客戶一起確定下一代產(chǎn)品的內(nèi)存要求，然后相應(yīng)地集中精力進(jìn)行開發(fā)。
 
擴(kuò)大與客戶緊密聯(lián)系的亞洲開發(fā)團(tuán)隊。我們打算通過擴(kuò)大在臺灣，韓國和中國大陸的工程開發(fā)團(tuán)隊，繼續(xù)利用我們在亞洲的廣泛經(jīng)驗。
 
進(jìn)一步滲透行業(yè)領(lǐng)先客戶。我們利用生產(chǎn)高質(zhì)量存儲產(chǎn)品的專業(yè)知識，通過行業(yè)領(lǐng)先的客戶滲透到我們的目標(biāo)市場，我們相信這些客戶定義了未來內(nèi)存需求的方向。
 
為主要市場開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品。為了增加產(chǎn)品的多樣化并提供與我們的SRAM，DRAM和閃存專業(yè)知識相輔相成的產(chǎn)品，我們正在開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品以供我們的主要市場使用。

ISSI代理英尚微電子SRAM芯片型號

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)	產(chǎn)品類型
16Mb	1Mx16/2Mx8	IS62WV102416DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	2Mx8	IS62WV20488ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	2Mx8	IS62WV20488EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62C10248AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62C51216AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62/65WV51216EALL/EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EALL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62/65WV10248EALL/EBLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片

 
 
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