存儲設備（主要指存儲數據的半導體產品）通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數據在斷電時消失，如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數據在斷電時不會消失，這意味著數據一旦被寫入，只要不進行擦除或重寫，數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。
 
經過市場的長期廣泛驗證以及技術的不斷突破，富士通FRAM產品已成功應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等工業領域，醫療設備及醫療RFID標簽等醫療領域、胎壓監測及新能源汽車電池管理系統等汽車領域等等，涉及的應用超過200種，幾乎覆蓋所有主要領域！
   
當前的富士通FRAM主要具備三大優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。比如FRAM寫入次數壽命高達10萬億次，而EEPROM僅有百萬次(10^6)。富士通FRAM寫入數據可在150ns內完成，速度約為EEPROM的1/30,000。寫入一個字節數據的功耗僅為150nJ，約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有巨大的優勢。
   
相比EEPROM或SRAM
 
FRAM方案可以輕松解決以下問題：
1）需要更頻繁地記錄數據，但受限于內存規格
2）在寫入數據時需要保護數據，以防止突然停電
3）需要采用無電池解決方案

本文關鍵詞： FRAM  

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