隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，SRAM由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。
 
隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作，但當電源斷開時，存儲信息便會消失。SRAM的數據存儲方式是依靠一對反相器以閉環形式連接的存儲電路，它的代碼的讀出是非破壞性的，并不需要相應的刷新電路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶體管來存儲一位的信息（采用六管單元或四管兩電阻單元儲存一位數據），因而其位密度比其它類型的低，造價也高。靜態存儲器多用于二級高速緩存。
 
介紹一款偉凌創芯（EMI）1Mbit國產異步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，該產品采用EMI先進的全CMOS工藝技術制造。支持工業溫度范圍-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片級封裝，電源電壓為4.5V~5.5V，以實現系統的用戶靈活性設計。還支持低數據保留電壓，用于以低數據保留電流進行電池備份操作。
 
特征
●工藝技術：90nm Full CMOS
●組織：128KX8bit
●電源電壓：4.5V~5.5V
●三態輸出，TTL兼容
●標準32SOP
●工業操作溫度
 
關于偉凌創芯（EMI）
安徽偉凌創芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。公司擁有國際知名設 計專家及工作經驗豐富工程師研發團隊，與國內知名前后道生產合作伙伴緊密合作。深挖客戶應用，依托強大的研發實力，融合世界前沿的技術理念快速響應客戶的變化需求，為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。


本文關鍵詞：EMI501HB08PM-55I

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