靜態SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。靜態ram中所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。
 
針對不同應用市場的SRAM產品的技術呈現兩大趨勢：一是向高性能通信網絡所需的高速器件發展，由于讀寫速度快，SRAM存儲器被用作計算機中的高速緩存，提高它的讀寫速度對于充分發揮微處理器的優勢，改善處理器性能有著積極的意義。另一個是降低功耗，以適應蓬勃發展的便攜式應用市場。本篇文章要介紹的是一款異步快速國產SRAM存儲器芯片EMI502HF08VM-10I。
 
偉凌創芯國產SRAM芯片EMI502HF08VM-10I是一款位寬256K x 8的SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其運行速度快于讀取周期的地址訪問時間。而EMI502HF08VM-10I允許通過數據字節控制(UB,LB)訪問上下字節。快速訪問時間10ns，采用JEDEC標準44引腳TSOP-II封裝。
 
該器件采用先進的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術制造，電源電壓范圍為5V，具備三態輸出和TTL兼容，支持工業溫度范圍和芯片規模封裝，專為高速電路技術而設計，該系列還支持低數據保持電壓，以低數據保持電流實現電池備份操作。封裝采用標準44TSOP2。。它是特別適用于高密度高速系統應用。EMI代理商英尚微電子支持提供樣品測試及產品技術解決方案。


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