Netsol是一家位于韓國的無廠內存半導體設計公司，目前的產品有異步快速SRAM、低功耗SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。主要客戶群是工業、商業和通信，以高速、低延遲和低功耗內存設計技術而聞名。
 
netsol器件采用6-TR單元先進的CMOS工藝技術制造，專為低功率電路技術而設計，S6L4008W1M SRAM是一款容量為4Mb的高速SRAM，位寬8*512K。適用于低數據保持電流的電池備份應用。

S6L4008W1M快速訪問時間為45、55、最大70ns，待機電流2A，最大10A。寬范圍或單5.0V電源，具備完全靜態操作和三態輸出，無需時鐘或刷新，可在商業和工業溫度范圍內工作。封裝采用32SOP、32sTSOP1和32TSOP2。歡迎垂詢代理RAMSUM.
 
low power sram低功耗SRAM存儲器是作為靜態隨機訪問存儲器的一種類別，SRAM作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品。

 netsol 4Mb

Density	Org.	Part Number	Voltage	Option	Speed	Package Type
4M bit	256Kx16	S6L4016W1M	2.3~3.6v	1C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	256Kx16	S6L4016W2M	2.3~3.6v	2C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	256Kx16	S6L4016C1M	5V	1C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	256Kx16	S6L4016C2M	5V	2C/S	45/55/70ns	44TSOP2 48 FBGA
4M bit	512Kx8	S6L4008W1M	2.3~3.6v	1C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1
4M bit	512Kx8	S6L4008W2M	2.3~3.6v	2C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1
4M bit	512Kx8	S6L4008C1M	2.7~3.6V	1C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1
4M bit	512Kx8	S6L4008C2M	5V	1C/S	45/55/70ns	32 sTSOP1

 
 
本文關鍵詞：SRAM netsol

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