內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。
 
美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用，基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高性能的特點(diǎn)，能夠支持智能汽車和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用所需的快速響應(yīng)、實(shí)時(shí)服務(wù)、個(gè)性化和沉浸式體驗(yàn)。
 
繼2021年批量出貨基于1α（1-alpha）節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品后，美光推出全球最先進(jìn)的1β節(jié)點(diǎn)DRAM，進(jìn)一步鞏固了市場(chǎng)領(lǐng)先地位。1β技術(shù)可將能效提高約15%，內(nèi)存密度提升35%以上1，單顆裸片容量高達(dá)16Gb。
 
1β DRAM產(chǎn)品融合了美光專有的多重曝光光刻技術(shù)、領(lǐng)先的制程技術(shù)及先進(jìn)材料能力，標(biāo)志著內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍。全球領(lǐng)先的1β DRAM制程技術(shù)帶來(lái)了前所未有的內(nèi)存密度，為智能邊緣和云端應(yīng)用迎接新一代數(shù)據(jù)密集型、智能化和低功耗技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。
 
美光已在今年7月出貨全球首款232層NAND，為存儲(chǔ)解決方案帶來(lái)了前所未有的性能和面密度。得益于美光在尖端研發(fā)與制程技術(shù)方面的深厚根基，這兩項(xiàng)業(yè)界首發(fā)預(yù)示著美光將繼續(xù)在內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新領(lǐng)域領(lǐng)跑市場(chǎng)。


本文關(guān)鍵詞：DRAM  LPDDR5X

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