目前，新興的存儲(chǔ)技術(shù)旨在集成SRAM的開(kāi)關(guān)速度和DRAM的高密度特性，并具有Flash的非易失特性。新型存儲(chǔ)技術(shù)可主要分為相變存儲(chǔ)器(PCM)、磁變存儲(chǔ)器（MRAM）、阻變存儲(chǔ)器（RRAM/ReRAM）以及鐵電存儲(chǔ)器（FRAM/FeRAM）。
 
相變存儲(chǔ)器通過(guò)相變材料相態(tài)的變化獲得不同的電阻值，主要適用于大容量的獨(dú)立式存儲(chǔ)應(yīng)用。磁變存儲(chǔ)器通過(guò)磁性材料中磁籌的方向變化改變電阻，主要適用于小容量高速低功耗的嵌入式應(yīng)用。
 
而阻變存儲(chǔ)器則利用阻變材料中導(dǎo)電通道的產(chǎn)生或關(guān)閉實(shí)現(xiàn)電阻變化，目前主要用于物理不可克隆芯片（PUF），并有可能在未來(lái)的人工智能、存算一體等領(lǐng)域發(fā)揮作用。此外，近年來(lái)，存算一體正逐漸成為解決當(dāng)前存儲(chǔ)挑戰(zhàn)的熱門(mén)趨勢(shì)之一。
 
上述新型存儲(chǔ)技術(shù)都具備一些共性，比如具有非易失性或持久性的特點(diǎn)，而所有的主流非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器（ROM）技術(shù)；部分技術(shù)可通過(guò)工藝縮小尺寸，從而降低成本；無(wú)需使用閃存所需的塊擦除/頁(yè)寫(xiě)入方法，從而大大降低了寫(xiě)入耗電需求，同時(shí)提高了寫(xiě)入速度。下表為新型存儲(chǔ)技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)對(duì)比：
 
新型存儲(chǔ)技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)對(duì)比

指標(biāo)	PCM	MRAM	RRAM	FRAM
非易失性	是	是	是	是
工作電壓	較高(>3V)	較低(<1.5V)	較低(<1.5V)	/
多級(jí)	是	否	是	是
持久性	良	更佳	更佳	/
兼容性	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容
代表公司	英特爾、美光	Everspin	Crossbar	英飛凌、富士通半導(dǎo)體
商用領(lǐng)域	混合固態(tài)盤(pán)、持久內(nèi)存	嵌入式	/	IC卡、MCU

本文關(guān)鍵詞：MRAM,SRAM,FRAM

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