目前，實現存算一體有兩種存儲器件的選擇有兩種。
 
    第一種是基于易失性存儲器，例如DRAM和SRAM，但由于DRAM制造工藝和邏輯計算單元的制造工藝不同，無法實現良好的片上融合，而SRAM難以進行片上大規模集成，同時，因為SRAM和DRAM是易失性存儲器，需要持續供電來保存數據，仍存在功耗的問題。
 
    第二種是結合非易失性新型存儲器。新型存儲器通過阻值變化來存儲數據，而存儲器加載的電壓等于電阻和電流的乘積，相當于每個單元可以實現一個乘法運算，再匯總相加便可以實現矩陣乘法。在這種情況下，同一單元就可以完成數據存儲和計算，消除了數據訪存帶來的延遲和功耗，是真正意義上的存算一體。
 
    另外，傳統存儲器所具有的易失性、微縮性差等問題可以被新型非易失性存儲器很好地解決。目前可用于存算一體的成熟存儲器有NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM等。

本文關鍵詞：SRAM,MRAM

相關文章：Everspin串行SPI MRAM芯片MR25H10

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。