無(wú)人機(jī)可以在飛行時(shí)直接將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在機(jī)身中的存儲(chǔ)器或內(nèi)置硬盤中。這種方式可以提高數(shù)據(jù)的安全性，保證即使出現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)故障或通信中斷等問(wèn)題，數(shù)據(jù)也能得到完整保存。
 
    MRAM非易失性存儲(chǔ)芯片是非常適合應(yīng)用于無(wú)人機(jī)飛行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的芯片，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程。先是系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件、使用歷史 、環(huán)境參數(shù)、機(jī)器狀態(tài)，最后用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
 
    Netsol MRAM芯片在無(wú)人機(jī)飛行數(shù)據(jù)中具有與SRAM不同，無(wú)需電壓控制器、電池及電池插座、與nvSRAM不同，無(wú)需電容器、寫入速度快、近乎無(wú)限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）、斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份等明顯的優(yōu)勢(shì)。
 
    Netsol的STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

Parallel STT-MRAM 系列

S3R1016V1M	1Mbit	64Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1008V1M	1Mbit	128Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1016R1M	1Mbit	64Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1008R1M	1Mbit	128Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2016V1M	2Mbit	128Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2008V1M	2Mbit	256Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2016R1M	2Mbit	128Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2008R1M	2Mbit	256Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4016V1M	4Mbit	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4008V1M	4Mbit	512Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4016R1M	4Mbit	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4008R1M	4Mbit	512Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R8016V1M	8Mbit	512Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R8008V1M	8Mbit	1Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R8016R1M	8Mbit	512Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R8008R1M	8Mbit	1Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1616V1M	16Mbit	1Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R1608V1M	16Mbit	2Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1616R1M	16Mbit	1Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R1608R1M	16Mbit	2Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R3216V1M	32Mbit	2Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R3216R1M	32Mbit	2Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R6416V1M	64Mbit	4Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA
S3R6416R1M	64Mbit	4Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA

本文關(guān)鍵詞：MRAM,Netsol,STT-MRAM

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