FRAM鐵電存儲器

FRAM使用鐵晶體管材料(通常是氧化物)，其特點是無需借助外部電場就可以永久切換電偶極子力矩(代表極性分子的極性大小)。因而，這種內存是非揮發性的。大量的鐵電材料會自然形成納米級偶極子。Celis半導體、Hynix、Macronix、英飛凌、Ramtron、三星、三洋、TI和東芝公司都在進行FRAM研究。理論上，使用量子點作為儲存單元的FRAM具有潛力創造出令人難以置信的儲存密度。
“我們已經在進行量產，每季出貨量也達到了數百萬片，但我們所針對的主要是那些需要閃存無法提供的特殊性能應用。”Ramtron公司副總裁Mike Alwais說，“這些新技術所面臨的制造挑戰被低估了，它其實是比看起來要困難得多。”
為了生存，Ramtron公司找到了一個小型市場以使其研發努力能夠維持下去。目前，該公司提供的大部份產品直接替代SRAM被應用于安裝有后備電池的數據擷取設備。Ramtron公司的最新芯片是一款1Mb的FRAM，它能夠以插件方式替代類似尺寸的SRAM。該組件的設計尺寸已經縮小到0.13微米節點，
該公司對FRAM的長期成功寄予了很高的希望，甚至超過閃存。“由于它不需要使用非常薄的氧化物或高電壓，我們的客戶相信FRAM在先進的節點(65納米或更小)上能夠比閃存更容易縮小尺寸，”Alwais說。
嵌入式FRAM在需要低功率非揮發性內存的場合具有重要意義，它能夠以一種更直接的方式嵌入于芯片中，而且具有比其它任何替代品更好的性能。

MRAM

除FRAM之外，另一種有前途的技術是MRAM。MRAM在三明治結構的磁阻中儲存位，這種三明治結構包含一個固定磁層、一個氧化物磁阻和一個自由磁層。兩個金屬電極使自由層在兩個磁極狀態間進行切換。狀態是透過檢測阻值的變化來讀取。
 
Everspin推出一款4Mb的MRAM存儲器具有35奈秒的讀寫周期和無限長的耐久時間。該產品比閃存更快，但密度稍低。它更容易整合(在整個制程中僅需5個光罩層)，不必像使用閃存那樣在晶體管級進行重新設計。在設計中采用的所有其它核心技術都可以保持不變，并以相同的方式工作。”
 
MRAM比閃存更容易縮小尺寸，MRAM位單元可以縮小到65納米節點，而且很可能可以進一步縮小。”

 本文關鍵詞：EVERSPIN

相關文章：MRAM磁性存儲器的簡介
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。