隨著自旋轉移矩效應的發(fā)現(xiàn)以及材料和結構的優(yōu)化，基于自旋轉移矩效應的STT-MRAM器件應運而生。自從自旋轉移矩效應被證實以來，一方面研究人員通過大量的努力嘗試降低磁化反轉的臨界電流，增加熱穩(wěn)定性；另一方面Sony、Hitachi、Renesas、Crocus、Toshiba、Samsung、Hynix、IBM等多家公司也在積極研發(fā)STT-MRAM。

 

早期的磁隧道結采用面內(nèi)磁各向異性（In-Plane Magnetic Anisotropy）。它存在如下兩個弊端：

 

1）隨著工藝減小，熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場，面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。

 

隨著工藝尺寸的微縮（＜50nm），這種薄膜的邊際效應加劇，會產(chǎn)生顯著的磁渦旋態(tài)，難以保持較高的熱穩(wěn)定性勢壘，甚至穩(wěn)定的磁化也無法存在，這將限制MRAM的存儲密度；

 

其次面內(nèi)磁各向異性的磁隧道結降低了自旋轉移矩的翻轉效率

 

因此，對于相同的熱穩(wěn)定性勢壘，垂直磁各向異性能夠使磁隧道結的臨界翻轉電流比面內(nèi)磁各向異性的更低，相應地，自旋轉移矩的翻轉效率更高。鑒于上述優(yōu)勢，研究人員也一直致力于采用垂直磁各向異性的磁隧道結結構建高密度、低功耗的pSTT-MRAM。

 

 

圖1（a）垂直磁各向異性的磁隧道結；（b）沿面內(nèi)和垂直方向的磁化曲線，證明易磁化軸沿垂直方向。

 

目前最新的低功耗、大容量的MRAM器件均采用垂直磁各向異性磁隧道結，比如Everspin已推出的256Mb STT-MRAM商用產(chǎn)品以及展示的1Gb演示器件采用的就是垂直磁各向異性磁隧道結。

下列是部分everspin  STT-MRMA

Density	Org.	Part Number	Voltage	Speed	Temp Rating	Package	Pack/Ship
1Gb	128Mb x8	EMD4E001G08G1-150CAS1	--	667MHz	Commercial	78-BGA	Tray
1Gb	128Mb x8	EMD4E001G08G1-150CAS1	--	667MHz	Commercial	78-BGA	Tape & Reel
1Gb	64Mb x16	EMD4E001G16G2-150CAS1	--	667MHz	Commercial	96-BGA	Tray
1Gb	64Mb x16	EMD4E001G16G2-150CAS1R	--	667MHz	Commercial	96-BGA	Tape & Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA	Tray

更多Everspin型號參數(shù)選型鏈接：http://m.bjbbxh.com/list-180-1.html

 

本文關鍵詞：everspin STT-MRAM

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