作為克服現(xiàn)有基于NAND閃存的SSD的解決方案，Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通過提供高速非易失性存儲來提高SSD的系統(tǒng)性能和可靠性。機(jī)上數(shù)據(jù)。通過添加STT-MRAM來補充或替換SSD控制器的DDR總線上的易失性DRAM（圖1），SSD控制器現(xiàn)在可以將該高速非易失性存儲器用于寫緩沖區(qū)和之前運行的任何其他關(guān)鍵數(shù)據(jù)易揮發(fā)的。
 
對于企業(yè)級固態(tài)硬盤，電源管理系統(tǒng)的設(shè)計很重要。系統(tǒng)必須檢測電源故障，將驅(qū)動器與主機(jī)隔離，并用足夠的能量存儲來支撐驅(qū)動器，以允許將任何運行中的數(shù)據(jù)提交到非易失性存儲器中，以確保數(shù)據(jù)完整性。完成此操作所需的保持能量與飛行中的數(shù)據(jù)量，非易失性存儲器的速度和系統(tǒng)的功耗成正比。可以將這種保持能量存儲提供的時間量視為電源故障窗口或在耗盡保持能量之前可用于存儲不受保護(hù)的數(shù)據(jù)的時間。
 
為了支持由不同等級的不同內(nèi)存類型組成的異構(gòu)DDR架構(gòu)，理想情況下，SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持處理STT-MRAM的不同時序和尋址要求，以實現(xiàn)最佳性能。 SSD控制器還必須采用其他邏輯來正確管理DDR控制器緩沖區(qū)中正在傳輸?shù)纳倭砍ｑv數(shù)據(jù)，以確保在斷電之前將管線刷新到STT-MRAM并關(guān)閉STT-MRAM中的所有打開頁面。Everspin代理英尚微電子提供不同容量大小的MRAM芯片

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