美國ISSI主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數字消費者以及工業和醫療等市場提供存儲器產品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。
 
功能說明
SRAM是隨機存取存儲器之一。每個字節或字都有一個地址，可以隨機訪問。 SRAM支持三種不同的模式。。
 
待機模式
取消選擇時，設備進入待機模式（HIGH或CS2 LOW或兩者都為HIGH）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于高阻抗狀態。根據輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節省功率。
 
寫模式
選擇芯片時（LOW和CS2 HIGH），寫使能（）輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于數據輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩沖區也會關閉。并啟用字節寫入功能。通過啟用LOW，來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數據被寫入該位置。
在地址引腳上指定。處于低電平時，來自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數據被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時（LOW和CS2為HIGH），寫使能（）輸入為HIGH時，讀操作出現問題。當為低電平時，輸出緩沖器打開以進行數據輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進行任何輸入。并啟用字節讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲器的數據出現在I / O0-7上。處于低電平時，來自內存的數據將出現在I / O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過拉高來關閉輸出緩沖器。在此模式下，內部設備作為READ操作，但I / O處于高阻抗狀態。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。
 
工作溫度范圍
商用工作溫度為0°C至+ 70°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V
工業工作溫度為-40°C至+ 85°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V
汽車類工作溫度為 -40°C至+ 125°C，電壓為2.2V 3.3V 3.6V

ISSI 低功耗SRAM

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)	產品類型
16Mb	1Mx16	IS62WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16/2Mx8	IS62WV102416DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)	16Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片

本文關鍵詞：SRAM   低功耗SRAM   IS62WV1024

上一篇文章： Xilinx FPGA提供DDR4內存接口解決方案
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。