從應用角度看，PRAM可用于所有存儲器，特別適用于計算機、消費電子、通信三合一電子設備的存儲器系統。常用相變材料晶態電阻率和結晶溫度低、熱穩定性差，需要通過摻雜來改善性能。

　　
目前，人們也在尋找性能更加優良的相變材料，以最大限度地發揮PRAM的優越性。

FRAM是一種隨機存取存儲器技術，已成為存儲器家族中最有發展潛力的新成員之一。它使用一層有鐵電性的材料取代原有的介電質，使得它也擁有像EEPROM一樣的非易失性內存的優勢，在沒有電源的情況下可以保存數據，用于數據存儲。FRAM具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。

　　
作為非易失性存儲器，FRAM具有接近SRAM和DRAM等傳統易失性存儲器級別的高速寫入速度，讀寫周期只有傳統非易失性存儲器的數萬分之一，但讀寫耐久性卻是后者的1000萬倍，達到了10萬億次，可實現高頻繁的數據紀錄。

　　
目前，廠商正在研究如何解決由陣列尺寸限制帶來的FRAM成品率問題，進一步提高存儲密度和可靠性。現在，FRAM技術研發的主要方向是130nm工藝的64Mb存儲器。如今，富士通半導體集團把控著FRAM的整個生產程序，在日本有芯片開發和量產及組裝設施。

　　
與傳統存儲技術相比，新一代存儲具有獨特的優勢與特點。以FRAM為例，以“多、快、省”的特點在業界別具一格，能夠解決應用瓶頸，促進產品創新。

　　
“多”是指FRAM的高讀寫耐久性(10萬億次)的特點，可以頻繁記錄操作歷史和系統狀態;“快”是指高速燒寫特性，可以幫助系統設計者解決突然斷電丟失數據的問題;“省”是指FRAM超低功耗的特性，特別是寫入時無需升壓。

將照相機實拍的一張照片分別存儲到EEPROM和FRAM中，直觀比較圖像數據寫入過程中EEPROM和FRAM的性能差異。可以發現使用并口傳輸數據，FRAM存儲數據用了約0.19秒，而EEPROM用了約6.23秒;FRAM存儲數據的比特率約為808kB/s，而EEPROM存儲數據的比特率約為24kB/s;功耗方面，FRAM約為0.4mW，而EEPROM約為61.7mW。FRAM的快速讀寫和超低功耗特性不言而喻。

本文關鍵詞： FRAM  閃存  非易失性存儲器    相關文章：可替代閃存的存儲新技術（一）

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