目前，比較常用的大容量高速非易失性SRAM有如下幾種：

 

1、NVSRAM，是一種雙體結(jié)構(gòu)的非易失性SRAM，這種存儲器內(nèi)部包含兩個存儲體：一個是供用戶讀寫的普通SRAM,另一個是與SRAM容量相同、供數(shù)據(jù)備份用的EEPROM(或Quantum Trap)。正常工作狀態(tài)下,微處理器訪問NVSRAM時,所操作的是SRAM,只有在電源斷電時,芯片自動把SRAM中的內(nèi)容快備份到EEPROM(或Quantum Trap)中,使內(nèi)容不會丟失;在下次電源加電時,它又把EEPROM中保留的備份內(nèi)容自動恢復到SRAM中。大容量NVSRAM比較典型的有Cypress的CY14B104（512Kx8/256Kx16)、CY14B108（1Mx8/512Kx16)，讀寫周期高達20ns。這種芯片有一個小小缺陷是必須外接一只大容量的電容，用于掉電備份數(shù)據(jù)時緩沖電源供電。此外，在國內(nèi)市場不易買的。

 

2、FRAM，即“鐵電存儲器”。其核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲器同時擁有RAM和ROM的特性。晶陣中的每個自由浮動的原子只有兩個穩(wěn)定狀態(tài),一個用來記憶邏輯“0”,另一個用來記憶邏輯“1”。數(shù)據(jù)狀態(tài)可保持100年以上。FRAM產(chǎn)品具備一系列超級特性。比如,高速隨機讀寫（存取時間只有55ns）、

超低功耗（只有EEPROM的1/2500）和幾乎無限次的讀寫周期（可達10的14方次）。RAMTRON公司是FRAM的發(fā)明和生產(chǎn)者，目前面市的大容量型號有；FM21L16(256Kx8/128Kx16)、FM22L16（512Kx8/256Kx16)。與NVSRAM不同，F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)寫入與備份是同步進行的，因此也不存在恢復操作。

 

3、MRAM，即“磁阻RAM”，是Freescale公司的專利產(chǎn)品，采用磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)來進行數(shù)據(jù)存儲。MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的 。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應用。目前的產(chǎn)品型號有：MR0A16~MR2A16，容量為：128Kx8/64Kx16~512Kx8/256Kx16，讀寫周期為35 ns。

 

值得注意的是，由于都采用RAM結(jié)構(gòu)，F(xiàn)RAM和MRAM引腳完全兼容，NVRAM除有外接電容引腳和地址線編號不太一樣外（如果處理器通過FPGA與其相連則可重定義），基本兼容。　

本文關鍵詞：高速非易失性SRAM   MRAM    FRAM     低功耗

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