早在20多年前，因為MRAM不易揮發的特點，MRAM就被業界視為可替代NAND閃存的潛在高性能產品。但是，從目前產品容量的角度看來，該技術暫時無法參與市場競爭。

 

MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有與SRAM相似的高速讀寫能力，以及Flash不揮發性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復讀寫次數和SRAM、DRAM相同，操作電壓也近似，可說是集各種記憶體優點于一體的產品。它的主要競爭對手是快閃記憶體，目前一些公司如東芝、三星、Intel正在不停開發更快更高容量的閃存式存儲裝置。

 

MRAM的最大優勢在于其性能以及低功耗。在未來，內存技術有望能夠超越閃存甚至是DRAM，達到SRAM的水平。MRAM只要得到與閃存和DRAM一樣多的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也許會成為未來主流內存產品。

 

 

大約在十年前，飛思卡爾半導體宣布該公司將與多家創投公司集資成立一間以磁性隨機存取存儲器(MRAM)為主要產品的獨立新公司——EverSpin Technologies，致力于提供并擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品。

MRAM將磁性材質與傳統硅晶線路結合在單一的永久耐用元件當中，不但具有SRAM的速度，也具備快閃存儲器的非揮發性。MRAM元件的設計將非揮發性存儲器及RAM的優勢合而為一，讓新型的智慧型電子裝置能擁有“立即開啟”及防備斷電的功能。

本文關鍵詞：MRAM  ST-MRAM  

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