存儲器占整個半導(dǎo)體市場規(guī)模超20%，地位十分重要。由于標準型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已接近極限，許多半導(dǎo)體巨頭如英特爾、三星電子、臺積電等都在致力于發(fā)展下一代新型存儲器。

 

下一代新型存儲器除了eMRAM以外，還有嵌入式電阻RAM（eRRAM）、相變存儲器（PCM）、碳納米管（CNT）和鐵電場效電晶體（FeFET）等。其中eMRAM 速度最快，應(yīng)用前景也被看好，但由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，量產(chǎn)難度極大。

 

eMRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器，它最大的優(yōu)勢在于結(jié)合了非易失性與無限使用壽命。相比目前的DRAM或者SRAM，包括它的高數(shù)據(jù)密度、高可制造性、高速度、非易失性和耐久性等，與DRAM和SRAM相比優(yōu)勢還是非常明顯的。

 

全球半導(dǎo)體各大巨頭正在下一代新型存儲器市場展開強力競爭，這很可能全面改變半導(dǎo)體市場的發(fā)展前景，并成為未來半導(dǎo)體代工的主要業(yè)務(wù)之一。目前三星電子正大力發(fā)展eMRAM記憶體，三星的28nm FD-SOI（Fully Depleted Silicon on Insulator）制程有eMRAM 的選項，其中eMRAM的風險生產(chǎn)為2018年；而18nm的FD-SOI制程的風險生產(chǎn)將始于2020年，也有eMRAM的選項。歐洲最大半導(dǎo)體廠商-恩智浦半導(dǎo)體已經(jīng)決定使用三星電子的eMRAM記憶體，以應(yīng)用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。臺積電發(fā)布在2018年下半年于28nm制程中生產(chǎn)eMRAM。而GlobalFoundries也發(fā)布，計劃在2017年于22nm FD-SOI制程上提供eMRAM，2018年進入量產(chǎn)。

本文關(guān)鍵詞：eMRAM  DRAM   
 
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