Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。是全球第一家量產MRAM的供貨商，并透過持續提升技術與擴展MRAM產品組合來領導業界的發展。Everspin提供市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發性隨機存取存儲器，以協助客戶開發獨特且極具競爭力的產品 。（ （ Everspin公司是 磁性隨機存儲器（ （MRAM） ）和 集成磁（ （Integrated Magnetic） ） 產品的全球領導者

主要從事： 磁性隨機存儲器(MRAM)與傳感器的開發和制造工作

目標市場： 儲存、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、消費、運輸、和航空電子

 

• MRAM讀取/寫入周期時間：35ns；

• 真正無限次擦除使用；

• 業內最長的壽命和數據保存時間----超過20年的非揮發特性；

• 單芯片最高容量為16Mb；

• 快速、簡單接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；

• 具有成本效益----簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元；

• 最佳等級的軟錯誤率----遠比其它內存優異；

• 可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的功能于一身；

• 具備商業級、工業級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍；

• 符合RoHS規范：無電池、無鉛；

• 小封裝：TSOP、VGA、DFN。

 

 

Eversin 的利MRAM是以可在邏上的磁隧道MTJ p 專技術沉積標準輯制程性結儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層(fixed layer)，和一個通過隧道結(tunnel barrier)與其隔離的自由層(free layer)。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可使MRAM不需改變內存狀態，便能快速讀取數據。當流經兩金屬線的電流足以切換MTJ的磁場時，在兩金屬線交點的MTJ就會被極化(寫入)。此過程能以SRAM的速度完成。

本文關鍵詞：SRAM  EEPROM  MRAM  Everspin

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