Everspin推出的第一款STT-MRAM
2018-05-03 11:25:38
Everspin最新的MRAM技術是利用自旋扭矩傳輸特性，即利用極化電流來控制電子的自旋，從而建立自由層的所需磁狀態，從而對存儲器陣列中的位進行編程或寫入。
與Toggle MRAM相比，自旋轉矩MRAM或
STT-MRAM可顯著降低開關能量，并具有高度可擴展性，可實現更高密度的存儲器產品。我們的第三代MRAM技術使用垂直MTJ。我們開發了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆疊設計，可提供長數據保持率，小單元尺寸，更高密度，高耐用性和低功耗。
Everspin推出的第一款STT-MRAM產品采用ST-DDR3，這是一種類似JEDEC的DDR3接口，并需要進行一些修改以充分利用MRAM技術的持久性。這些產品的性能如同持久性DRAM，但無需刷新。其他產品計劃將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用。
本文關鍵詞：
STT-MRAM
相關文章：
Everspin并行接口MRAM
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. m.bjbbxh.com 0755-66658299
