閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單位，而不是以單個(gè)的字節(jié)為單位。根據(jù)用途和規(guī)格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，存儲(chǔ)設(shè)備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。 
         根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲(chǔ)單元）、MLC（雙層存儲(chǔ)單元）以及TLC（三層存儲(chǔ)單元），此三種存儲(chǔ)單元在壽命以及造價(jià)上有著明顯的區(qū)別。
         SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約MLC3倍以上的價(jià)格），約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。
         MLC=MulTI-LevelCell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫(xiě)壽命。
         TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度相對(duì)慢壽命相對(duì)短，價(jià)格便宜，約500次擦寫(xiě)壽命，是當(dāng)下主流廠商首選閃存顆粒。